應用於晶圓製程與封裝階段，包括晶圓厚度與翹曲檢測、貼合間隙與段差量測、微結構與導線幾何掃描，以及表面粗糙度與變形分析等。透過量測能力提升尺寸與幾何控制的精度，支援全製程自動化與缺陷預測。
業務挑戰
Challenge
1
晶圓翹曲與不均勻應力測量
晶圓在熱處理和薄膜沉積等工藝中，因溫度變化或內部應力集中，可能導致微米級翹曲或形變。影響光刻對準、蝕刻精度及薄膜均勻性，進而降低製程良率。
2
多層結構中的精細厚度測量
晶片具有多層金屬、絕緣層和光刻層等結構，需要準確識別並測量多層材料，由於折射率不同，量測系統必須能夠處理複雜的光學反射和穿透問題，以確保高精度的測量結果。
3
高反射率材料的測量挑戰
在半導體製程中，材料如金屬層和矽基底具有非常高的反射率。需要針對不同材料進行優化設計，並能夠調整光束強度或角度，以確保有效測量這些高反射表面的厚度和形狀。
